Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IGC36T120T8L

1200 V power IGBT chip
データシート

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IGC36T120T8L
IGC36T120T8L
データシート

Product details

  • IC max
    35 A
  • VCE(sat) max
    2.07 V
  • VCE max
    1200 V
  • VDS max
    1200 V
  • VGE(th)
    5.3 V to 6.3 V
  • 動作温度
    -40 °C to 175 °C
  • 技術
    IGBT4 Low Power
推奨
OPN
IGC36T120T8LX1SA1
製品ステータス active and preferred active
インフィニオンパッケージ - --
パッケージ名 N/A N/A
包装サイズ 1 1
包装形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER WAFER SAWN
水分レベル N/A N/A
モイスチャーパッキン DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ -
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The TRENCHSTOP™ IGBT combines the unique TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.

機能

  • 1200 V TRENCHSTOP™ technology
  • 1200 V fieldstop technology
  • Low switching losses
  • Positive temperature coefficient
  • Easy paralleling

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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