IGC36T120T8L
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IGC36T120T8L

1200 V power IGBT chip
複数のOPNを利用可能
個.

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製品仕様情報

  • IC (最大)
    35 A
  • VCE(sat) (最大)
    2.07 V
  • VCE (最大)
    1200 V
  • VDS (最大)
    1200 V
  • VGE(th) 範囲
    5.3 V~6.3 V
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~175 °C
  • 技術
    IGBT4 Low Power

OPN
IGC36T120T8LX1SA1
製品ステータス active and preferred active
インフィニオン パッケージ - --
パッケージ名 N/A N/A
梱包サイズ 1 1
梱包形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER WAFER SAWN
MSL (湿度感受性レベル) N/A N/A
防湿梱包 DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ -
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER SAWN
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The TRENCHSTOP™ IGBT combines the unique TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.

特長

  • 1200 V TRENCHSTOP™ technology
  • 1200 V fieldstop technology
  • Low switching losses
  • Positive temperature coefficient
  • Easy paralleling

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ