IGC100T65T8RM
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IGC100T65T8RM

データシート
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個.

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IGC100T65T8RM
IGC100T65T8RM
データシート


製品仕様情報

  • IC (最大)
    200 A
  • VCE(sat) (最大)
    1.23 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VDS (最大)
    650 V
  • VGE(th) 範囲
    5.1 V～6.4 V
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～175 °C
  • 技術
    IGBT3 Medium Power

推奨
OPN
IGC100T65T8RMX1SA1 IGC100T65T8RMX7SA2
製品ステータス active active
インフィニオン パッケージ N/A N/A
パッケージ名 N/A N/A
梱包サイズ 1 1
梱包形態 WAFER SAWN HORIZONTAL FRAME SHIPPER
MSL (湿度感受性レベル) N/A N/A
防湿梱包 DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
ウェハ製造国 -
MY
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ N/A
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER SAWN
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
ウェハ製造国 -

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ N/A
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
ウェハ製造国
MY
The TRENCHSTOP™ IGBT combines the unique TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.

特長

  • Positive temperature coefficient
  • Easy paralleling
  • Qualified according to JEDEC

アプリケーション

モーター制御
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ