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RoHS準拠
鉛フリー

IDW75E60

600 V IGBT silicon power diode in TO-247 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IDW75E60
IDW75E60
EA.
データシート

製品仕様情報

  • I(FSM) max
    220 A
  • IF
    75 A
  • IR max
    40 µA
  • Irrm
    38.5 A
  • Ptot max
    300 W
  • Qrr
    0.24 µC
  • RthJC max
    0.5 K/W
  • trr
    121 ns
  • VF
    1.65 V
  • コンフィギュレーション
    Single
  • パッケージ
    TO-247
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 電圧クラス max
    600 V
推奨
OPN
IDW75E60FKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The 600 V, 75 A emitter controlled silicon power diode in a TO-247 package has been primarily designed for motor drive applications up to 30kHz.

機能

  • Lowest VF values
  • Very soft diodes
  • Tj (max)of 175°C
  • Qualified according to JEDEC
  • Cooler packages & higher efficiency
  • Excellent EMI behavior
  • Excellent cost/perform. trade-off
  • Low conduction losses
  • Easy paralleling

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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