IDW75E60
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IDW75E60

600 V IGBT silicon power diode in TO-247 package
データシート
パッケージ

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IDW75E60
IDW75E60
データシート


製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    220 A
  • IF (最大)
    120 A
  • IF
    75 A
  • IR (最大)
    40 µA
  • Irrm
    38.5 A
  • Ptot (最大)
    300 W
  • Qrr
    0.24 µC
  • RthJC (最大)
    0.5 K/W
  • trr
    121 ns
  • VF (最大)
    1.65 V
  • VF
    1.65 V
  • コンフィギュレーション
    Single
  • パッケージ
    TO-247
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 電圧クラス (最大)
    600 V

OPN
IDW75E60FKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
MY

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
MY
The 600 V, 75 A emitter controlled silicon power diode in a TO-247 package has been primarily designed for motor drive applications up to 30kHz.

特長

  • Lowest VF values
  • Very soft diodes
  • Tj (max)of 175°C
  • Qualified according to JEDEC
  • Cooler packages & higher efficiency
  • Excellent EMI behavior
  • Excellent cost/perform. trade-off
  • Low conduction losses
  • Easy paralleling
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ