Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IDW60C65D1

650 V silicon power diode in TO-247 package
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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IDW60C65D1
IDW60C65D1
EA.
データシート

Product details

  • I(FSM) max
    240 A
  • IF
    30 A
  • IR max
    40 µA
  • Irrm
    5.4 A
  • Ptot max
    142 W
  • Qrr
    0.45 µC
  • RthJC max
    1.06 K/W
  • trr
    115 ns
  • VF
    1.35 V
  • コンフィギュレーション
    Common Cathode
  • パッケージ
    TO-247
  • 動作温度
    -40 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 電圧クラス max
    650 V
推奨
OPN
IDW60C65D1XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Rapid 1 switching 650 V, 60 A emitter controlled power silicon diodes in common cathode configuration and in a TO-247 package, allowing design optimization for more compact dimensions, easier assembly and consequently lower costs.

機能

  • 1.35 V temperature-stable VF
  • Highest softness-factor for:
  • Highest softness-factor for:
  • Low EMI filtering
  • For 18 kHz to 40 kHz applications
  • Lowest Irrmfor:
  • Lowest losses on boost switch
  • Low thermal resistance

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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