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RoHS準拠
鉛フリー

IDP08E65D2

650 V silicon power diode in TO-220 real2pin package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IDP08E65D2
IDP08E65D2
EA.
データシート

Product details

  • I(FSM) max
    60 A
  • IF
    8 A
  • IR max
    40 µA
  • Irrm
    2.5 A
  • Ptot max
    56 W
  • Qrr
    0.08 µC
  • RthJC max
    2.69 K/W
  • trr
    40 ns
  • VF
    1.6 V
  • コンフィギュレーション
    Single
  • パッケージ
    TO-220
  • 動作温度
    -40 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 電圧クラス max
    650 V
推奨
OPN
IDP08E65D2XKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-2
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-2
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Rapid 2 switching 650 V, 8 A emitter controlled power silicon diode in a TO-220 real2pin package is designed for applications switching between 40 kHz and 100 kHz.

機能

  • Lowest reverse recovery charge
  • Highest softness-factor
  • Low reverse recovery time (trr)
  • Lowest Irrm
  • Low turn-on losses on boost switch

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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