アクティブで優先
RoHS準拠
鉛フリー

IDH20G65C5

650 V Silicion Carbide Schottky diode in real2pin package
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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IDH20G65C5
IDH20G65C5
EA.
データシート

Product details

  • I(FSM) max
    142 A
  • IF max
    20 A
  • IR
    1.1 µA
  • Ptot max
    157 W
  • QC
    29 nC
  • RthJC
    0.6 K/W
  • VF
    1.5 V
  • Package
    TO220
  • Qualification
    Industrial
推奨
OPN
IDH20G65C5XKSA2
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-2
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-2
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The CoolSiC™ Schottky diodes generation 5 650 V, 2 A in a DPAK real2pin package represents our leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The Infineon proprietary diffusion soldering process, already introduced with G3, is now combined with a new, more compact design and thin wafer technology. The result is a new family of products showing improved efficiency over all load conditions, coming from both the improved thermal characteristics and a lower figure of merit (Q c x V f).

機能

  • Improved figure of merit (Q c x V f)
  • No reverse recovery charge
  • Soft switching reverse recovery waveform
  • Temperature independent switching behavior
  • High operating temperature (T j max 175°C)
  • Improved surge capability
  • Pb-free lead plating

利点

  • Higher safety margin against overvoltage and complements CoolMOS™ offer
  • Improved efficiency over all load conditions
  • Increased efficiency compared to Silicon Diode alternatives
  • Reduced EMI compared to snappier Silicon diode reverse recovery waveform
  • Highly stable switching performance
  • Reduced cooling requirements
  • Reduced risks of thermal runaway
  • RoHS compliant
  • Very high quality and high volume manufacturing capability

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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