Active and preferred
RoHS準拠

IAUZ40N10S5L120

100 V, N-Ch, 12.0 mΩ max, Automotive MOSFET, S3O8 (3x3), OptiMOS™ 5
データシート
パッケージ

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IAUZ40N10S5L120
IAUZ40N10S5L120
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Germany
  • Currently planned availability until at least
    2038
  • ID (@25°C) (最大)
    40 A
  • QG (typ @10V)
    17.4 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    22.6 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    12 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) (範囲)
    1.2 V ～ 2.2 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    PG-TSDSON-8
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™5
  • 極性
    N
  • 発売年
    2021
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IAUZ40N10S5L120ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 S3O8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 S3O8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IAUZ40N10S5L120 is a 12.0mR 100V MOSFET in a S3O8 3x3 mm² package, using Infineon's leading OptiMOS™ 5 technology. Next to others it is used in in LED lighting and for motor control.

特長

  • OptiMOS™ 5 power MOSFET
  • N-channel-Enhancement mode-Logic Level
  • AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green Product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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