IAUCN08S7L033
Active and preferred
RoHS対応

IAUCN08S7L033

80 V、N-Ch、3.3 mΩ(最大)、車載用MOSFET、SSO8(5x6)、OptiMOS™ 7
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IAUCN08S7L033
IAUCN08S7L033
個.
データシート


製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Indonesia, Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Germany
  • Currently planned availability until at least
    2038
  • ID (@25°C) (最大)
    120 A
  • QG (typ @10V) (最大)
    57.6 nC
  • QG (typ @10V)
    44.3 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.3 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PG-TDSON-8
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    OptiMOS™7
  • 極性
    N
  • 発売年
    2025
  • 認定
    Automotive

推奨
OPN
IAUCN08S7L033ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Single SSO8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Single SSO8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
インフィニオンは、次世代の先進パワー技術であるOptiMOS™ 7 80 V MOSFETを新たに発表します。この製品は、汎用性が高く堅牢な大電流SSO8 5x6mm2 SMDパッケージで提供されます。要求の厳しい自動車アプリケーションに必要な高性能、品質、堅牢性のために特別に設計されています。

特長

  • 低オン抵抗、RDS(on)
  • 最先端FOM(RDS(オン) x Qg)
  • 高速スイッチング時間(オン/オフ)
  • 低パッケージ抵抗とインダクタンス
  • 高アバランシェ電流能力
  • 高いSOA堅牢性
  • 優れた熱性能
  • AEC-Q101
  • 強化された電気テスト
  • MSL1 最大 260°C のピーク リフロー
  • 175°C動作温度

利点

  • 非常に低い導通損失
  • 優れたスイッチング性能
  • 5x6mmパッケージで最高の電力密度
  • 高電力効率
  • 小さな設置面積と効率的な冷却
  • 設計の堅牢性の向上
  • 自動車の堅牢性を重視した設計
  • 自動車用高品質生産
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ