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生産終了
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RoHS準拠
鉛フリー

GS61004B-TR

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CoolGaN™ Transistor 100 V ≤ G2 for ultimate efficiency and reliability
データシート

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GS61004B-TR
GS61004B-TR
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    38 A
  • IDpuls (@25°C) max
    60 A
  • QG
    3.3 nC
  • RDS (on) (typ)
    16 mΩ
  • RDS (on) max
    22 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • パッケージ
    GaNPX
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 認定
    Industrial
OPN
GS61004BTRXUMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ PG-ULGA-3
パッケージ名 GaNPX (R)
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ PG-ULGA-3
パッケージ名 GaNPX (R)
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The GS61004B-TR is an enhancement mode GaN-on-Silicon power transistor. The properties of GaN allow for high current, low loss and high switching frequency.  The GS61004B-TR is a bottom-side cooled transistor in a GaNPX® package with very low junction-to-case thermal resistance for high power applications such as DCDC converters, motor drives, renewable energy systems and Class D audio amplifiers.

機能

  • E-mode HEMT – normally OFF
  • Ultrafast switching
  • No reverse-recovery charge
  • Capable of reverse conduction
  • Low gate charge, low output charge
  • Superior commutation ruggedness
  • JEDEC qualified (JESD47, JESD22)
  • Bottom-side cooled
  • Zero reverse recovery loss
  • Fast, controllable fall and rise times
  • RoHS 3(6+4) compliant

利点

  • Improves system efficiency
  • Improves power density
  • Reduces system weight
  • Enables higher operating frequency
  • System cost reduction savings

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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