新規設計は非推奨
RoHS準拠

FZ1200R45HL3_S7

4500 V, 1200 A single switch IGBT module

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FZ1200R45HL3_S7
FZ1200R45HL3_S7

Product details

  • IC(nom) / IF(nom)
    1200 A
  • IC max
    1200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    2.15 V
  • VCES / VRRM
    4500 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2.5 V
  • コンフィギュレーション
    Single switch
  • パッケージ
    IHV B
  • 寸法 (width)
    140 mm
  • 寸法 (length)
    190 mm
  • 技術
    IGBT3 - L3
  • 特長
    VGE = 25 V
  • 認定
    Industrial, Traction
  • 電圧クラス max
    4500 V
OPN
FZ1200R45HL3S7BPSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ AG-IHVB190
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ AG-IHVB190
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IHV-B 4500 V, 1200 A 190 mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT3, Emitter Controlled 3 diode and isolated AlSiC Base Plate - The best solution for your HVDC application. In comparison to the standard type the _S7 type can be driven with VGE=25 V instead of the usual 15 V

機能

  • High DC stability
  • High short-circuit capability
  • Lowest conduction losses
  • Low VCEsat
  • Rectangular non truncated (RB-)SOA
  • Tvj op=150°C
  • AlSiC base plate with AlN substrate
  • for increased Thermal cycling
  • Fire & smoke EN45545 R22, R23 : HL3
  • Package with CTI > 600
  • Gate emitter voltage of 25 V

利点

  • Standardized housing: 190x140x38 mm
  • decades of field experience
  • Long service life
  • Unbeatable dynamic robustness
  • Low FIT Rate
  • UL recognized
  • Remark:
  • EOL since 2023
  • Replacement type is FZ1200R45HL4_S7

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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