FZ1200R33HE4D_B9
Active and preferred
RoHS対応

FZ1200R33HE4D_B9

3300 V, 1200 A single switch IGBT module

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FZ1200R33HE4D_B9
FZ1200R33HE4D_B9

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    1200 A
  • IC (最大)
    1200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    2.4 V
  • VCES / VRRM
    3300 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2.6 V
  • コンフィギュレーション
    Single switch
  • パッケージ
    IHV B
  • 寸法 (width)
    140 mm
  • 寸法 (length)
    190 mm
  • 技術
    IGBT4 - E4
  • 特長
    Optimized IGBT Diode Ratio
  • 認定
    Industrial, Traction
  • 電圧クラス (最大)
    3300 V
OPN
FZ1200R33HE4DB9BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-IHVB190
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-IHVB190
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

特長

  • High DC stability
  • High short-circuit capability
  • Low switching losses
  • Low VCEsat
  • Rectangular non truncated (RB-)SOA
  • Tvj op=150°C
  • AlSiC base plate with AlN substrate
  • for increased Thermal cycling
  • Fire & smoke EN45545 R22, R23 : HL3
  • Package with CTI > 600
  • 2x PowerCycling vs state of the art
  • Enlarged diode for regeneration

利点

  • Standardized housing: 190x140x38 mm
  • Unbeatable dynamic robustness
  • Long service life
  • 2xPC = 110% power at same lifetime
  • or 200% lifetime
  • or 8K more safety buffer
  • Fault current RBSOA up to 3000 A
  • Performance like any 1500 A 3.3 kV
  • 1:1 mechanical compatible:
  • to three former generations
  • Low FIT Rate
  • UL recognized
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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