Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM28V202A-TGTR

データシート
パッケージ

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FM28V202A-TGTR
FM28V202A-TGTR
データシート

製品仕様情報

  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Parallel FRAM
  • リードボール仕上げ
    NiPdAuAg
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    60 ns
推奨
OPN
FM28V202A-TGTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
FM28V202A-TGTRは2-Mbit（128 K × 16）不揮発性F-RAMメモリで、パラレルインターフェース、60nsアクセス、90nsサイクルタイムを実現。100兆回の高耐久読書き、65°Cで151年のデータ保持、NoDelay™書き込み、ページモード、低消費電力に対応。2.0 V～3.6 V動作、44ピンTSOP IIパッケージ。産業用オートメーションやデータロギング、メータリング用途に最適でSRAM代替に適す。

特長

  • 2MビットF-RAM、128K×16構成
  • 256K×8に設定可能
  • 100兆回の読書/書込耐久
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™書込、SRAM互換
  • 60nsアクセス、90nsサイクル
  • ページモード30nsサイクル
  • ソフトウェア書込保護
  • 動作電流7mA、待機120μA
  • スリープ電流3μA
  • VDD 2.0 V～3.6 V
  • 16ビットバス、標準ピン配置

利点

  • バッテリ不要の信頼性不揮発メモリ
  • SRAM置換で設計容易
  • 書込回数ほぼ無制限
  • 電源断でも長期データ保持
  • 高速書込で待ち時間なし
  • 低消費電力で電池長寿命
  • ページモードでスループット向上
  • 柔軟な構成で多用途対応
  • 書込保護でデータ安全
  • スリープで待機電流最小化
  • 幅広いVDDで多様な機器対応
  • 標準ピンで基板設計容易

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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