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FM28V102A-TG

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EA.
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FM28V102A-TG
FM28V102A-TG
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Parallel FRAM
  • リードボール仕上げ
    NiPdAuAg
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    64Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    60 ns
推奨
OPN
FM28V102A-TG
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 135
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 135
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM28V102A-TGは1-Mbit（64 K × 16）鉄電ランダムアクセスメモリ（F-RAM）で、SRAM互換の速度とインターフェースを持ち、非揮発性保存を実現します。60 nsアクセス、100兆回の読書き耐久性、65°Cで151年のデータ保持が特徴です。動作電圧2.0 V～3.6 V、低消費電力、44ピンTSOP-IIパッケージ、RoHS準拠。バッテリーレスで頻繁書き込み用途に適しています。

特長

  • 1MビットF-RAM、64K×16構成
  • 100兆回の読み書き耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™即時不揮発書き込み
  • ページモード動作、30nsサイクル
  • 標準パラレルSRAMインターフェース
  • 7mA動作、120μA待機、3μAスリープ
  • VDD動作電圧2.0～3.6 V
  • 60nsアクセス、90nsサイクル（SRAM）
  • スリープモードで超低消費電力
  • 単一チップ電池不要高信頼性
  • 優れた耐衝撃・耐湿性

利点

  • 電源断後もデータ保持
  • 頻繁・高速なデータ記録に最適
  • バッテリーやリフレッシュ不要
  • SRAMと置換可能
  • 高速書き込みで性能向上
  • 低消費で電池長寿命
  • 標準SRAMと簡単統合
  • 過酷環境でも高信頼性
  • 長期データ完全性
  • 書き込み待ち不要
  • 保守・部品コスト削減
  • 読み書き速度が一定

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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