Active and preferred
RoHS準拠

FM25V10-G

Industrial-grade 1024kBit SPI FRAM with 40MHz frequency, ensuring reliable performance in wide temperature range of -40°C to 85°C
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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FM25V10-G
FM25V10-G
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ)
    2 V to 3.6 V
  • 動作電圧
    2 V to 3.6 V
  • 周波数
    40 MHz
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM25V10-G
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 1940
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 1940
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The FM25V10 is a 1-Mbit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 151 years while eliminating the complexities, overhead, and system-level reliability problems caused by serial flash, EEPROM, and other nonvolatile memories.

機能

  • High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
  • 151-year data retention
  • NoDelay™ writes
  • Advanced high-reliability ferroelectric process
  • Very fast serial peripheral interface (SPI)
  • Sophisticated write protection scheme
  • Unique Serial Number (FM25VN10)
  • Low power consumption

利点

  • Drop-in replacement for EEPROM/flash
  • High-speed SPI bus utilization
  • Unique read-only serial number
  • Read-only Device ID for info

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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