Active and preferred
RoHS準拠

FM25V05-GTR

High-Density 512 kBit SPI F-RAM for Industrial Applications with Wide Operating Range

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FM25V05-GTR
FM25V05-GTR

Product details

  • Density
    512 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    2 V to 3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ)
    2 V to 3.6 V
  • 周波数
    40 MHz
  • 組織 (X x Y)
    64Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
OPN
FM25V05-GTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The FM25V05-GTR is a 512 Kbit F-RAM, providing 151-year data retention, rapid bus-speed write operations, and high write endurance, making it ideal for reliable nonvolatile memory applications. It outperforms traditional serial flash and EEPROM, offering efficient and reliable performance.

機能

  • 512 Kbit F-RAM logically organized as 64K × 8
  • High-endurance 100 trillion (1014) read/writes 
  • 151-year data retention 
  • NoDelay™ writes 
  • Advanced high-reliability ferroelectric process
  • Very fast serial peripheral interface (SPI)
  • Up to 40-MHz frequency
  • Sophisticated write protection scheme
  • Device ID
  • Low power consumption
  • Low-voltage operation: VDD = 2.0 V to 3.6 V

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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