Active and preferred
RoHS準拠

FM25V05-G

EA.
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FM25V05-G
FM25V05-G
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    512 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ~ 3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2 V ~ 3.6 V
  • 周波数
    40 MHz
  • 組織 (X x Y)
    64Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
OPN
FM25V05-G
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 970
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 970
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM25V05-Gは512Kビット(64K × 8)シリアルF-RAMメモリで、最大100兆回(10^14)の読み書きサイクルと151年のデータ保持を実現する高耐久性の不揮発性ストレージです。2.0 V~3.6 Vの電源、-40°C~+85°Cの温度範囲、SPIバスは最大40 MHz(モード0・3対応)で動作します。NoDelay™によるバス速度での書き込み、低消費電力(1 MHz時300 μA、スリープ時5 μA)、ハードウェア・ソフトウェアによる書き込み保護を備え、産業用、データロギング、制御用途に最適です。

特長

  • 100兆回の読み書き耐久性
  • 65°Cで151年のデータ保持
  • NoDelay™即時書き込み技術
  • SPIバス最大40 MHz
  • シリアルフラッシュ/EEPROMと互換
  • SPIモード0/3対応
  • 高度な書き込み保護機能
  • ハードウェアWPピン
  • ソフトウェア書き込み禁止
  • 1/4、1/2、全体のブロック保護
  • メーカー・製品ID搭載
  • 低消費電力:300μA動作、90μA待機、5μAスリープ

利点

  • EEPROM/フラッシュの制限解消
  • 151年の信頼性データ保持
  • 書き込み遅延ゼロ
  • 40 MHzで高速転送
  • 既存設計に簡単導入
  • 柔軟なSPIモード対応
  • 誤書き込みからデータ保護
  • ハードウェアで高い安全性
  • ソフトで誤書き込み防止
  • 柔軟なブロック保護
  • IDで管理・追跡が容易
  • 低消費で省エネ

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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