Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM25L04B-G

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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FM25L04B-G
FM25L04B-G
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    20 MHz
  • 組織 (X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM25L04B-G
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2910
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2910
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM25L04B-Gは4 Kbit（512 × 8）シリアルF-RAMメモリで、SPIインターフェース搭載、100兆回の高耐久読み書きと65°Cで最大151年のデータ保持を実現します。2.7 V～3.6 V動作、–40°C～+85°C、最大20 MHzクロック対応。NoDelay™書き込み、高度な書き込み保護、低消費電流を特長とし、8ピンSOICパッケージで頻繁かつ高速な書き込みや高信頼性データ保持用途に最適です。

特長

  • 4-Kbit F-RAM、512×8構成
  • 100兆回の読書き耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™バス速度書込
  • 最大20 MHzのSPI対応
  • ハード/ソフト書込保護
  • 1 MHz時200 μA動作電流
  • 3 μA標準スタンバイ電流
  • VDD2.7 V～3.6 V動作
  • –40°C～+85°C動作温度
  • EEPROM/フラッシュ互換
  • SPIモード0・3対応

利点

  • 信頼性の高い不揮発性保存
  • 頻繁なデータ記録に最適
  • 電源断でも長期データ保持
  • 書込遅延なし高速動作
  • SPIマイコンと容易に統合
  • 誤書込からデータ保護
  • 動作時の消費電力を抑制
  • スタンバイで電池長持ち
  • 3 V系回路に対応
  • 過酷な環境下でも安定
  • 既存設計を簡単アップグレード
  • 多様なSPI構成に柔軟対応

用途

EV充電

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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