Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM25CL64B-GTR

High-Density 64 kBit SPI F-RAM Memory device | 20MHz, -40 to 85°C, Pure Sn Finish - Ideal for Industrial Applications
EA.
個の在庫あり

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FM25CL64B-GTR
FM25CL64B-GTR
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    64 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2.7 V ~ 3.65 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ~ 3.65 V
  • 周波数
    20 MHz
  • 組織 (X x Y)
    8Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
OPN
FM25CL64B-GTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM25CL64B-GTRは64 Kbit(8K × 8)シリアルF-RAMで、SPIインターフェースに対応し、最大20 MHzクロック、2.7 V~3.65 V動作、–40°C~+85°C対応です。100兆回の読み書き耐久性、65°Cで151年のデータ保持、バス速度NoDelay™書き込みで遅延なし。高度なハード・ソフト書き込み保護、RoHS準拠、8ピンSOICパッケージで、データロギングや産業制御、頻繁な不揮発性書き込み用途に最適です。

特長

  • 64 Kbit (8K × 8) F-RAMメモリ
  • 100兆回の読書/書込み耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™バス速度書込み
  • 最大20 MHzのSPIインターフェース
  • ハード/ソフト両方の書込み保護
  • 1 MHz時200 μA動作電流
  • 標準待機電流3 μA
  • VDD動作範囲2.7 V~3.65 V
  • 工業用温度範囲–40°C~+85°C
  • シリアルフラッシュ/EEPROM互換
  • SPIモード0・3対応

利点

  • 頻繁な高速書込みも信頼
  • 書込み遅延なしで高速動作
  • 電源断でもデータ消失なし
  • 低消費で電池長持ち
  • 既存設計に簡単統合
  • 多重保護でデータ安全
  • 過酷な環境でも動作
  • 書込み後のポーリング不要
  • 旧システムも簡単置換
  • 高耐久で保守負担軽減
  • 幅広い電圧で柔軟運用
  • 高速SPIでデータ転送

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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