FF900R12ME7W_B11
Active and preferred
RoHS対応

FF900R12ME7W_B11

1200 V、900 AハーフブリッジIGBTモジュール

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FF900R12ME7W_B11
FF900R12ME7W_B11


製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    900 A
  • IC (最大)
    900 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.5 V
  • VCES / VRRM
    1200 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.8 V
  • コンフィギュレーション
    half-bridge
  • パッケージ
    EconoDUAL™ 3
  • 寸法 (width)
    62 mm
  • 寸法 (length)
    152 mm
  • 技術
    IGBT7 - E7
  • 特長
    Wave structure on the base plate, PressFIT
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    1200 V

OPN
FF900R12ME7WB11BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-ECONOD
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 6
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
組立国
HU
ウェハ製造国
AT,MY
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-ECONOD
パッケージ名 -
梱包サイズ 6
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
HU
ウェハ製造国
AT,MY
EconoDUAL™ 3 1200 V、900 AハーフブリッジTRENCHSTOP™ IGBT7モジュール、エミッター制御7ダイオード、NTC、PressFITコンタクト技術、ベースプレート上の波状構造。

特長

  • ベースプレートの波状構造
  • 最高電力密度
  • クラス最高のVCEsat
  • Tvj op= 175℃ 過負荷
  • 改良された端子
  • PressFIT制御ピン
  • ネジ式電源端子
  • NTC温度センサー内蔵
  • 絶縁ベースプレート
  • コンパクトで堅牢な設計
  • モールド端子

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ