FF900R12IE4P
Active and preferred
RoHS対応

FF900R12IE4P

1200 V, 900 A dual IGBT module

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FF900R12IE4P
FF900R12IE4P

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    900 A
  • IC (最大)
    900 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.75 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.9 V
  • コンフィギュレーション
    half-bridge
  • パッケージ
    PrimePACK™ 2
  • 寸法 (length)
    172 mm
  • 寸法 (width)
    89 mm
  • 技術
    IGBT4 - E4
  • 特長
    TIM
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    1200 V
OPN
FF900R12IE4PBOSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-PRIME2
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 3
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-PRIME2
パッケージ名 -
梱包サイズ 3
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
PrimePACK™ 2 1200 V, 900 A half-bridge dual IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode, NTC, fast switching chip and pre-applied Thermal Interface Material.

特長

  • Extended operation temp. Tvj op
  • High DC stability
  • High short circuit capability
  • Low switching losses
  • Unbeatable robustness
  • VCEsatwith positive temp. coeffici.
  • 4 kV AC 1 min insulation
  • Package with CTI > 400
  • High creepage & clearance distances
  • High power & thermal cycling capab.
  • Substrate for low therm. resistance
  • UL recognized
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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