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RoHS準拠

F3L200R07W2S5F_B11

650 V, 200 A 3-level IGBT module
データシート

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F3L200R07W2S5F_B11
F3L200R07W2S5F_B11
データシート

Product details

  • IC(nom) / IF(nom)
    200 A
  • IC max
    200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.2 V
  • VCES / VRRM
    650 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.49 V
  • コンフィギュレーション
    3-level
  • パッケージ
    EasyPACK™ 2B
  • 寸法 (length)
    56.7 mm
  • 寸法 (width)
    48 mm
  • 技術
    IGBT5 - S5, CoolSiC™ Schottky Diode
  • 特長
    Phase leg, PressFIT, SiC Schottky diode
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス max
    650 V
推奨
OPN
F3L200R07W2S5FB11BOMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-EASY2B
パッケージ名 N/A
包装サイズ 15
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-EASY2B
パッケージ名 -
包装サイズ 15
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EasyPACK™ 650 V, 200 A 3-level IGBT module with TRENCHSTOP™ 5 , CoolSiC™ Schottky Diode , NTC and PressFIT contact technology .

機能

  • Voltage capability up to 650 V
  • Low switching losses
  • Compact design
  • PressFIT contact technology
  • Rugged mounting due to
  • Integrated mounting clamps

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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