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DD800S45KL3_B5

4500 V, 800 A diodes IGBT module
データシート

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DD800S45KL3_B5
DD800S45KL3_B5
データシート

Product details

  • IC(nom) / IF(nom)
    800 A
  • IC max
    800 A
  • VCES / VRRM
    4500 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2.5 V
  • コンフィギュレーション
    Diodes
  • パッケージ
    IHV
  • 定格電流
    800 A
  • 寸法 (width)
    140 mm
  • 寸法 (length)
    130 mm
  • 技術
    Diode
  • 特長
    10.4kV isolation
  • 認定
    Industrial, Traction
  • 電圧クラス max
    4500 V
推奨
OPN
DD800S45KL3B5NPSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ A-IHV130
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ A-IHV130
パッケージ名 -
包装サイズ 2
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
4500 V IHV , 800 A 130mm Diode IGBT module with Emitter Controlled C3 Diode, predestined to be combined with IGBT products (e.g. FZ1200R45KL3_B5 or FZ800R45KL3_B5 ) - The best solution for your traction and industry applications.

機能

  • High DC stability
  • High surge current capability
  • Extended storage temperature
  • * down to T(stg) = -55°C
  • Package with CTI > 600
  • Package insulation 10.4 kV AC 1min
  • High creepage & clearance distances
  • AlSiC base plate with AlN substrate
  • for increased Thermal cycling
  • Fire & smoke EN45545 R22, R23 : HL3
  • Dual Diode

利点

  • Standardized housing: 130x140x48 mm
  • decades of field experience
  • Long service life
  • Tough against overloads & faults
  • Low FIT Rate

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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