DD1600S33HE4
Active and preferred
RoHS対応

DD1600S33HE4

3300 V, 1600 A diodes IGBT module
データシート

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DD1600S33HE4
DD1600S33HE4
データシート

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    1600 A
  • IC (最大)
    1600 A
  • VCES / VRRM
    3300 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2.9 V
  • コンフィギュレーション
    Diodes
  • パッケージ
    IHV B
  • 寸法 (length)
    130 mm
  • 寸法 (width)
    140 mm
  • 技術
    Diode
  • 特長
    Optimized IGBT Diode Ratio
  • 認定
    Industrial, Traction
  • 電圧クラス (最大)
    3300 V
推奨
OPN
DD1600S33HE4BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-IHVB130
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-IHVB130
パッケージ名 -
梱包サイズ 2
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

特長

  • High DC stability
  • High surge current capability
  • Tvj op=150°C
  • AlSiC base plate with AlN substrate
  • Package with CTI > 600
  • Fire & smoke EN45545 R22, R23 : HL3
  • Low recovery losses
  • Isolated base plate
  • 2x PowerCycling vs state of the art
  • Dual Diode

利点

  • Standardized housing: 130x140x38 mm
  • Unbeatable dynamic robustness
  • Long service life
  • 2xPC = 110% power at same lifetime
  • or 200% lifetime
  • or 8K more safety buffer
  • power output best in class by +40%
  • DD+FZ1600 enables 1.6+ MW aircooled
  • requires half the size as old tpyes
  • Low FIT Rate
  • UL recognized
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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