CY7S1061GE30-10BVXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7S1061GE30-10BVXIT

パッケージ

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CY7S1061GE30-10BVXIT
CY7S1061GE30-10BVXIT

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推奨
OPN
CY7S1061GE30-10BVXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7S1061GE30-10BVXITは16 Mbit（1 M×16）の非同期CMOS SRAMで、ECC内蔵とERR出力により読出し時の1ビット訂正イベントを通知します。2.2 V～3.6 V、-40°C～+85°Cで10 nsアクセスに対応。PowerSnoozeのディープスリープ電流IDSは最大22 µAで、1.0 Vデータ保持も可能。スタンバイ電流ISB2は最大30 mA。TTL互換I/O、48ボールVFBGA（6×8×1.0 mm）。

特長

  • 1 M×16ビットSRAM構成
  • アドレスアクセス10 ns(tAA)
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • ERR端子でECC訂正を通知
  • ディープスリープ22 µA最大
  • ディープスリープでデータ保持
  • 1.0 Vデータ保持対応
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • 3ステートI/Oでバス共有
  • 読出し周期tRC=10 ns
  • 書込み周期tWC=10 ns
  • 電源安定〜初回アクセス100 µs

利点

  • 10 nsでメモリアクセス低遅延
  • ECCでデータ整合性向上
  • ERR通知でデバッグ短縮
  • 22 µAスリープで省電力
  • データ保持で状態を維持
  • 1.0 V保持でバックアップ簡素化
  • バイト書込みで帯域を節約
  • 3ステートI/Oで共有が容易
  • 10 ns読出しで高速リード
  • 10 ns書込みで高速ライト
  • 100 µs起動で高速ブート
  • x16で16ビットCPUに適合

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ