CY7C4142KV13-106FCXC
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C4142KV13-106FCXC

High-Performance QDR-IV Parallel Interface Memory with 1066 MHz Frequency and On-Die Termination for Commercial Applications

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CY7C4142KV13-106FCXC
CY7C4142KV13-106FCXC


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2031
  • ECC
    Y
  • Frequency
    1066 MHz
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    Y
  • アーキテクチャ
    QDR-IV
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    Y
  • バースト長 (Words)
    2
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    QDR-IV
  • メモリ容量
    144 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    0 °C~70 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.26 V~1.34 V
  • 組織 (X x Y)
    4Mb x 36
  • 認定
    Commercial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    8

OPN
CY7C4142KV13-106FCXC
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FCBGA-361 (001-70319)
梱包サイズ 300
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FCBGA-361 (001-70319)
梱包サイズ 300
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
CY7C4142KV13-106FCXCは144-MbitのQDR-IV XP SRAMで、4M × 36構成、独立した双方向DDRデータポートA/BとSDR制御、DDRアドレスサンプリングを備えます。2ワードバーストに対応し、最大1066 MHz(RTR 2132 MT/s)。8バンク構造に加え、オンチップECC、アドレスパリティ、バス反転、ODTを内蔵。361ボールFCBGA。

特長

  • 144-Mbit QDR-IV XP SRAM
  • 総RTR 2132 MT/s
  • 最大動作周波数1066 MHz
  • 独立2系統の双方向DDR
  • DDRアドレス+SDR制御
  • 8バンク,各バンク毎周期1回
  • 全アクセス2ワードバースト
  • オンダイ終端ODT可変
  • ZQで出力インピーダンス校正
  • アドレス/データバス反転
  • アドレスパリティ+PE#
  • オンチップECC SER<0.01 FIT/Mb

利点

  • 2132 MT/sでランダム性能向上
  • 1066 MHzで低レイテンシ動作
  • 2ポート同時R/Wが可能
  • 共有アドレスで配線削減
  • 8バンクで高取引率を維持
  • 2ワードバーストで帯域向上
  • ODTでSI設計を簡素化
  • ZQ校正でI/Oマージン安定
  • バス反転でSSNと電力を低減
  • パリティで故障切り分け迅速
  • ECCでソフトエラーを低減
  • <0.01 FIT/Mbで信頼性向上

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ