Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY7C4142KV13-106FCXC

High-Performance QDR-IV Parallel Interface Memory with 1066 MHz Frequency and On-Die Termination for Commercial Applications
データシート
パッケージ

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CY7C4142KV13-106FCXC
CY7C4142KV13-106FCXC
データシート

Product details

  • Density
    144 MBit
  • ECC
    Y
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    Y
  • アーキテクチャ
    QDR-IV
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    Y
  • バースト長 (Words)
    2
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    QDR-IV
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度
    0 °C to 70 °C
  • 動作電圧
    1.26 V to 1.34 V
  • 周波数
    1066 MHz
  • 組織 (X x Y)
    4Mb x 36
  • 認定
    Commercial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    8
推奨
OPN
CY7C4142KV13-106FCXC
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-FCBGA-361
パッケージ名 FCBGA-361 (001-70319)
包装サイズ 300
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-FCBGA-361
パッケージ名 FCBGA-361 (001-70319)
包装サイズ 300
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The QDR™-IV XP (Xtreme Performance) SRAM is a high-performance memory device optimized to maximize the number of random transactions per second by the use of two independent bidirectional data ports. These ports are equipped with DDR interfaces and designated as port A and port B respectively. Accesses to these two data ports are concurrent and independent of each other. Access to each port is through a common address bus running at DDR. The control signals are running at SDR and determine if a read or write should be performed.

機能

  • 144 Mbit density (8M × 18, 4M × 36)
  • Total Random Transaction Rate of 2132 MT/s
  • Maximum operating frequency of 1066 MHz
  • Read latency of 8.0 clock cycles
  • Write latency of 5.0 clock cycles
  • Eight-bank architecture enables 1 access per bank per cycle
  • Two-word burst on all accesses
  • Dual independent bidirectional data ports

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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