CY7C2665KV18-550BZXI

データシート

パッケージ

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製品仕様情報

Density

144 MBit
ECC

N
On-Die Termination (オンダイ終端)

Y
アーキテクチャ

QDR-II+, ODT
インターフェース

Parallel
データバス幅

x 36
バンクスイッチング

N
バースト長 (Words)

4
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

QDR-II+, ODT
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧範囲

1.7 V～1.9 V
周波数

400 MHz
組織 (X x Y)

4Mb x 36
認定

Industrial
読み込みレイテンシ (サイクル)

2.5

	推奨
OPN	CY7C2665KV18-550BZXI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-165
パッケージ名	FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ	525
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	No
ハロゲンフリー	Yes
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-165
パッケージ名	FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ	525
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

CY7C2665KV18-550BZXIは144-MbitのQDR II+同期パイプラインSRAMで、4M × 36構成、4ワードバースト（4 × 36）を2クロックで転送します。独立した読出し/書込みポートを備え、両ポートDDRインターフェース（データ1100 MHz）と550 MHzクロックに対応し、DOFF Highで2.5サイクル読出しレイテンシ、DOFF Lowで1サイクルのQDR Iモードです。コア1.8 V、VDDQは1.4 V～VDD、ODTとPLL内蔵、165ボールPbフリーFBGA、産業温度範囲です。

特長

QDR II+ SRAM、4ワードバースト
550 MHz、DDR最大1100 MHz
読み/書きデータ端子分離
同時トランザクション対応
2.5サイクル読出し(DOFF=1)
1サイクル読出し(DOFF=0)
D/BWS/KにODT内蔵
CQ/CQエコークロック
QVLDで出力データ有効表示
安定クロック20 µsでPLLロック
PLLは120 MHzまで動作
VDD 1.7–1.9 V; VDDQ 1.4–VDD

利点

バーストでアドレス頻度低減
DDR1100 MHzで高速転送
バス切替不要で低レイテンシ
読み書き同時でスループット向上
2.5サイクルで読出し一定
1サイクルでアクセス短縮
ODTで外付け終端を削減
CQ/CQで高速タイミング容易
QVLDでデータ取り込み簡素化
PLLでデータ配置を安定化
120 MHzでもPLL利用可能
1.4 V/1.5 V I/Oで柔軟

アプリケーション

デザインリソース

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CY7C2665KV18-550BZXI

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特長

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CY7C2665KV18-550BZXI

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