CY7C1645KV18-450BZXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1645KV18-450BZXI

データシート
パッケージ

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CY7C1645KV18-450BZXI
CY7C1645KV18-450BZXI
データシート


製品仕様情報

  • ECC
    N
  • Frequency
    450 MHz
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    N
  • アーキテクチャ
    QDR-II+
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • バースト長 (Words)
    4
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    QDR-II+
  • メモリ容量
    144 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～1.9 V
  • 組織 (X x Y)
    4Mb x 36
  • 認定
    Industrial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    2

推奨
OPN
CY7C1645KV18-450BZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ 105
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ 105
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
CY7C1645KV18-450BZXIは144 MbitのQDR II+同期パイプラインSRAMで、4 M × 36構成。独立したリード/ライトポートによりデータバスのターンアラウンドを不要にする。4ワードバーストとDOFF HIGH時2.0サイクルのリードレイテンシ、450 MHzクロックのDDR I/O（データレート900 MHz）に対応。コア1.8 V、I/Oは1.4 V～VDD。165ボールPb-free FBGA、インダストリアル品。

特長

  • 144-Mbit QDR II+ SRAM
  • 読出し/書込み独立ポート
  • DDR I/Oで最大900 MHz
  • 最大450 MHzクロック
  • 4ワードバーストアクセス
  • 読出し2サイクル遅延
  • QDR I: 1サイクル遅延
  • 入力クロックKとKの2系統
  • エコークロックCQ/CQ
  • QVLD有効データ出力
  • PLLは20 µsでロック
  • ZQで出力インピ調整

利点

  • バス切替の待ち時間を削減
  • 高メモリ帯域を実現
  • アドレス線の周波数を低減
  • エコーCLKでタイミング簡略化
  • QVLDでデータ取り込み容易
  • 読書き独立でパイプライン化
  • Read-after-writeの整合性確保
  • インピ整合でSIを改善
  • PVT変動の基板調整を低減
  • PLL自動ロックで立上げ短縮
  • 待ちなしで深度拡張可能
  • JTAGでテストを簡素化

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ