CY7C1643KV18-450BZI
Active and preferred

CY7C1643KV18-450BZI

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CY7C1643KV18-450BZI
CY7C1643KV18-450BZI

製品仕様情報

  • Density
    144 MBit
  • ECC
    N
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    N
  • アーキテクチャ
    QDR-II+
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 18
  • バンク スイッチング
    N
  • バースト長 (Words)
    4
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    QDR-II+
  • リードボール仕上げ
    Sn/Pb
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V~1.9 V
  • 周波数
    450 MHz
  • 組織 (X x Y)
    8Mb x 18
  • 認定
    Industrial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    2
OPN
CY7C1643KV18-450BZI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ 210
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ 210
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C1643KV18-450BZIは144 MbitのQDR II+同期パイプラインSRAM(8 M×18)で、独立した読み出し/書き込みポートと4ワードバーストに対応します。450 MHzクロックとDDR転送(900 MHzデータレート)、読み出しレイテンシ2.0サイクルをサポート。コア電源VDDは1.7~1.9 V、I/O電源VDDQは1.4 V~VDDで、-40~+85°Cの工業温度範囲、165ボールFBGA、JTAG 1149.1対応です。

特長

  • 144-Mbit QDR II+ SRAM
  • 読出し/書込み独立ポート
  • DDR I/Oで最大900 MHz
  • 最大450 MHzクロック
  • 4ワードバーストアクセス
  • 読出し2サイクル遅延
  • QDR I: 1サイクル遅延
  • 入力クロックKとKの2系統
  • エコークロックCQ/CQ
  • QVLD有効データ出力
  • PLLは20 µsでロック
  • ZQで出力インピ調整

利点

  • バス切替の待ち時間を削減
  • 高メモリ帯域を実現
  • アドレス線の周波数を低減
  • エコーCLKでタイミング簡略化
  • QVLDでデータ取り込み容易
  • 読書き独立でパイプライン化
  • Read-after-writeの整合性確保
  • インピ整合でSIを改善
  • PVT変動の基板調整を低減
  • PLL自動ロックで立上げ短縮
  • 待ちなしで深度拡張可能
  • JTAGでテストを簡素化

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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