CY7C1612KV18-250BZXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1612KV18-250BZXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C1612KV18-250BZXI
CY7C1612KV18-250BZXI
個.
データシート


製品仕様情報

  • ECC
    N
  • Frequency
    250 MHz
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    N
  • アーキテクチャ
    QDR-II
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 18
  • バンク スイッチング
    N
  • バースト長 (Words)
    2
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    QDR-II
  • メモリ容量
    144 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～1.9 V
  • 組織 (X x Y)
    8Mb x 18
  • 認定
    Industrial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    1.5

推奨
OPN
CY7C1612KV18-250BZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ 210
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ 210
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
個.
在庫あり
CY7C1612KV18-250BZXIは144-MbitのQDR II同期パイプラインSRAMで、8M × 18構成。独立した読出し/書込みポートにより同時アクセスが可能で、バスのターンアラウンドが不要。2ワードバーストとDDRインターフェースに対応し、最大250 MHzで動作。DOFF高で読出しレイテンシ1.5サイクル（QDR Iは1サイクル）。コア電源1.8 V(±0.1 V)、VDDQは1.4 V～VDD、165ボールFBGA。

特長

  • 独立した読/書データポート
  • 360 MHzクロック動作
  • DDR I/Oで720 MHz転送
  • 全アクセス2ワードバースト
  • 入力クロックKとK
  • 出力クロックCとC分離
  • エコークロックCQ/CQ
  • DOFF=1で1.5サイクル遅延
  • DOFF=0で1サイクル遅延
  • VDD電源1.8 V
  • VDDQは1.4 V〜VDD
  • IEEE 1149.1-2001 JTAG

利点

  • バスターンアラウンド不要
  • 読書同時でスループット向上
  • 360 MHzで高速スループット
  • エコークロックで取り込み容易
  • C/C分離でスキュー低減
  • 遅延選択でタイミング容易
  • PLLでデータ配置を安定化
  • JTAGで基板テスト簡素化
  • ポート選択で深さ拡張可能
  • VDDQ範囲でI/O整合が容易
  • 規定起動で誤動作を防止
  • 低SERでデータ信頼性向上

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ