CY7C1525KV18-250BZXC
Active and preferred
RoHS対応

CY7C1525KV18-250BZXC

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CY7C1525KV18-250BZXC
CY7C1525KV18-250BZXC

製品仕様情報

  • Density
    72 MBit
  • ECC
    N
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    N
  • アーキテクチャ
    QDR-II
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 9
  • バンク スイッチング
    N
  • バースト長 (Words)
    2
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    QDR-II
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    0 °C~70 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V~1.9 V
  • 周波数
    250 MHz
  • 組織 (X x Y)
    8Mb x 9
  • 認定
    Commercial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    1.5
OPN
CY7C1525KV18-250BZXC
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 136
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 136
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C1525KV18-250BZXCは72-MbitのQDR II同期パイプラインSRAMで、8M × 9構成、独立したリード/ライトポートにより同時トランザクションに対応します。250 MHz品はDDRインターフェース(最大500 MHz転送)で2ワードバースト、DOFFで1.5サイクルまたは1サイクルのリードレイテンシを選択可能。コア1.7~1.9 V、I/Oは1.4 V~VDD、165ボールPbフリーFBGA。

特長

  • 72-Mbit QDR II SRAMアーキ
  • 独立した読出/書込ポート
  • 読出し/書込み同時動作
  • 全アクセス2ワードバースト
  • DDR I/O:350 MHz/700 MHz
  • DOFF高:1.5サイクル遅延
  • DOFF低:1サイクル読出遅延
  • 入力K/K、出力C/Cクロック
  • CQ/CQエコークロック搭載
  • コアVDD 1.7-1.9 V
  • VDDQ 1.4 V~VDD
  • IEEE 1149.1 JTAG対応

利点

  • 高速ネット向け高帯域
  • バス切替待ちが不要
  • R/W同時でスループット向上
  • 2ワードでコマンド削減
  • 700 MHz DDRで転送高速化
  • 低レイテンシで厳しいタイミング
  • DOFFで遅延とパイプ選択
  • 分離クロックでタイミング容易
  • エコーで基板の取り込み容易
  • 1.8 Vコアで省電力化
  • HSTLで高速リンクに適合
  • JTAGで試験/デバッグ短縮

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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