CY7C1471BV25-133AXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1471BV25-133AXI

データシート
パッケージ

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CY7C1471BV25-133AXI
CY7C1471BV25-133AXI
データシート


製品仕様情報

  • ECC
    N
  • Frequency
    133 MHz
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    N
  • アーキテクチャ
    NoBL, Flow-through
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    NoBL
  • メモリ容量
    72 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.38 V～2.63 V
  • 組織 (X x Y)
    2Mb x 36
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY7C1471BV25-133AXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TQFP-100
パッケージ名 TQFP-100 (51-85050)
梱包サイズ 144
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TQFP-100
パッケージ名 TQFP-100 (51-85050)
梱包サイズ 144
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
US
CY7C1471BV25-133AXIは72 Mbit（2 M × 36）の同期フロースルー・バーストSRAMで、No Bus Latency（NoBL）により読み書きの真の連続動作を待ち時間なしで実現します。133 MHz動作と6.5 nsのクロックtoデータ有効（tCDV）、入力レジスタを備えます。バイト書込み、リニア/インターリーブの4ビートバースト、3つのチップイネーブル+OE、ZZスリープ（データ保持）に対応します。

特長

  • NoBLでバス空きサイクル削減
  • 同期バス最大133 MHz
  • tCDV:CLK後6.5 nsで有効
  • 各クロックでデータ転送
  • 同期入力レジスタ内蔵
  • BWX+WEでバイト書込み
  • バースト順序:線形/交互
  • チップイネーブル3系統
  • 非同期OEで出力制御
  • CENで動作をサスペンド
  • ZZモードで自動パワーダウン
  • VDD動作2.375–2.625 V

利点

  • 連続R/Wを待ち無しで実行
  • 133 MHzで高スループット
  • 6.5 nsアクセスで低レイテンシ
  • 毎クロック転送で帯域最大化
  • 入力レジスタでタイミング容易
  • バイト書込みで書込み量削減
  • バーストでキャッシュ行最適
  • メモリ拡張/バンク選択簡単
  • 共有バスを高速にHi-Z化
  • 追加ロジック無しでストール
  • ZZ/CEでアイドル電力低減
  • 2.5 Vコアで電源設計簡素化

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ