CY7C1470BV25-200BZXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1470BV25-200BZXI

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CY7C1470BV25-200BZXI
CY7C1470BV25-200BZXI


製品仕様情報

  • ECC
    N
  • Frequency
    200 MHz
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    N
  • アーキテクチャ
    NoBL, Pipeline
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    NoBL
  • メモリ容量
    72 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.38 V~2.63 V
  • 組織 (X x Y)
    2Mb x 36
  • 認定
    Industrial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    1

OPN
CY7C1470BV25-200BZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85165)
梱包サイズ 105
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85165)
梱包サイズ 105
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
US
CY7C1470BV25-200BZXIは72 Mbit(2M×36)の2.5 V同期パイプライン・バーストSRAMで、No Bus Latency(NoBL)により読書き切替え時もゼロ・ウェイトで連続アクセスが可能です。最大200 MHz動作、入出力フルレジスタ、バイトライト(BWa–BWd)に対応。4ビートのバーストカウンタはリニア/インターリーブを選択でき、ZZピンでデータ保持のスリープモードに移行します。

特長

  • 72-Mbit同期パイプラインSRAM
  • VDD 2.375–2.625 V
  • VDDQ 2.5 V I/O電源
  • 250 MHz動作・ウェイト0
  • tCO最大3.0 ns(250 MHz)
  • 入出力フルレジスタ
  • 連続リード/ライト無待ち
  • オンチップバースト最大4
  • リニア/インターリーブ順
  • BWxでバイトライト選択
  • CENで動作停止(ストール)
  • ZZスリープでデータ保持

利点

  • ウェイト0で高スループット
  • 250 MHzで高速データパス
  • パイプラインI/Oで収束容易
  • tCO 3.0 nsで読出し遅延低減
  • 連続動作でバス効率最大化
  • 最大4バーストでアドレス削減
  • バースト順をホストに適合
  • バイトライトでRMW不要
  • CENストールでクロックゲート
  • ZZスリープで待機中も保持
  • 3ステートでバス競合防止
  • 2.5 V電源で統合が容易

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ