CY7C1370KVE33-167AXM
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1370KVE33-167AXM

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CY7C1370KVE33-167AXM
CY7C1370KVE33-167AXM

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    18 MBit
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    N
  • アーキテクチャ
    NoBL, Pipeline
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Synchronous SRAM with ECC
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~125 °C
  • 動作電圧 範囲
    3.135 V~3.6 V
  • 周波数
    167 MHz
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 36
  • 認定
    Military
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    2
OPN
CY7C1370KVE33-167AXM
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TQFP-100 (51-85050)
梱包サイズ 720
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TQFP-100 (51-85050)
梱包サイズ 720
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
同期 SRAMは、防衛処理システムや通信機器の処理性能要件を満たす揮発性メモリです。これらのメモリは自動車グレードに準拠し、高性能と高信頼性を考慮して設計・製造されています。

特長

  • 18 Mbitの密度
  • 512 K x 36 構成
  • バス遅延なし (NoBLロジック)
  • 3.4 nsアクセス速度
  • オンチップエラー訂正コード (ECC)
  • 100ピンTQFPパッケージ
  • -55〜125 °Cのミリタリー温度範囲

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ