CY7C1069GN30-10ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1069GN30-10ZSXI

データシート
パッケージ

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CY7C1069GN30-10ZSXI
CY7C1069GN30-10ZSXI
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    2M x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns

推奨
OPN
CY7C1069GN30-10ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 540
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 540
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
CY7C1069GN30-10ZSXIは16-Mbit（2M×8）の高速非同期CMOS SRAMで、最大アクセス時間10 ns。CE1/CE2、OE、WEで制御し、未選択時はI/Oをハイインピーダンスとして自動パワーダウンする。2.2 V～3.6 V、工業温度範囲-40°C～85°Cで動作し、1.0 Vデータ保持に対応。fMAXでICCは90 mA（typ）、110 mA（max）。Pb-free 54ピンTSOP II。

特長

  • 16 Mbit（2M×8）SRAM
  • 10 nsアドレスアクセスtAA
  • 10 nsリードサイクルtRC
  • 10 nsライトサイクルtWC
  • OE→データ有効5 ns tDOE
  • VCC動作範囲2.2–3.6 V
  • 100 MHz時ICC typ 90 mA
  • 非選択時は自動パワーダウン
  • 非選択時出力はハイインピ
  • TTL互換の入出力レベル
  • データ保持VDR=1.0 V
  • 21-bit addr(A0–A20),8-bit I/O

利点

  • 10 nsアクセスで高速リード
  • 10 nsサイクルで高スループット
  • tDOE=5 nsで低レイテンシ
  • 2.2–3.6 Vで3.3 V系に適合
  • ICC typ 90 mAで電力見積容易
  • 自動パワーダウンで待機電力低減
  • ハイインピでバス共有が容易
  • TTLレベルで接続が簡単
  • VDR=1.0 Vで内容を保持
  • 保持モードでバックアップ電力低減
  • 21-bitアドレスで2M語を管理
  • 8-bit I/OでMCU接続が簡単

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ