CY7C1061GN18-15ZSXIT
Active and preferred
RoHS対応

CY7C1061GN18-15ZSXIT

データシート
パッケージ

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CY7C1061GN18-15ZSXIT
CY7C1061GN18-15ZSXIT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    1.65 V～2.2 V
  • 動作電圧 範囲
    1.65 V～2.2 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    15 ns
推奨
OPN
CY7C1061GN18-15ZSXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C1061GN18-15ZSXITは16 Mbit（1M×16）の高速非同期CMOS SRAMで、単ビット訂正用ECCを内蔵します。電源1.65 V～2.2 V、動作温度−40°C～+85°Cで15 nsアクセスに対応。CEパワーダウン時のスタンバイ電流はISB2最大30 mA。TSOP IIのデュアルチップイネーブル/テープ&リール品で、組込み・産業機器のSRAMバッファやルックアップテーブルに適します。

特長

  • 16 Mbit(1M×16)非同期SRAM
  • ECC内蔵 1ビット訂正
  • ERR出力で訂正1ビット通知
  • tAAアクセス時間10 ns/15 ns
  • 16ビットI/O BLE/BHEバイト書込
  • 単/デュアルチップイネーブル
  • CE自動パワーダウン(ISB1/2)
  • ICC typ 90 mA@100 MHz
  • 1.0 Vデータ保持モード
  • TTL互換I/Oレベル
  • 周囲温度-40°C〜+85°C
  • ESD>2001 V(MIL-STD-883)

利点

  • ECCでSRAMのデータ整合性向上
  • ERRでエラー監視が簡単
  • 10 nsアクセスで高速読出し
  • バイト書込みで帯域を節約
  • CE選択で実装が容易
  • 自動パワーダウンで待機低減
  • 1.0 V保持でバックアップ低減
  • TTLレベルで接続が容易
  • -40°C〜+85°Cで高信頼
  • 高ESDで取扱い余裕向上
  • 動作電流低減で発熱抑制
  • 非同期SRAMで制御が簡単

アプリケーション

産業用オートメーション
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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