CY7C1061G30-10BV1XET
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1061G30-10BV1XET

データシート
パッケージ

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CY7C1061G30-10BV1XET
CY7C1061G30-10BV1XET
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 16
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    10 ns

推奨
OPN
CY7C1061G30-10BV1XET
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
CY7C1061G30-10BV1XETは車載向け16 Mbit（1 M×16）の非同期CMOS SRAMで、ECCを内蔵します。2.2 V～3.6 V、−40°C～125°Cで動作し、10 nsアクセス（tAA）と10 nsリード/ライトサイクル（tRC/tWC）に対応。ECCはリードデータの1ビット誤りを検出・訂正。BLE/BHEで上位/下位バイト書込み、CE/OE/WEで制御します。Pbフリー48ボールVFBGA品です。

特長

  • 16 Mbit（1M×16）SRAM
  • ECCで読出し1bit誤り訂正
  • アドレスアクセスtAA=10 ns
  • 読出しサイクルtRC=10 ns
  • 書込みサイクルtWC=10 ns
  • BLE/BHEでバイト書込み
  • VCC動作範囲2.2 V–3.6 V
  • VCC=1.0 Vでデータ保持
  • fMAX時ICC典型90 mA
  • スタンバイISB2典型20 mA
  • OE→データtDOE=5 ns
  • 未選択時出力は高インピーダンス

利点

  • SRAM読出しのデータ整合性向上
  • 現場でのソフトエラー低減
  • 高速読出しでタイミング余裕
  • 読出しスループットが安定
  • 高速書込みでリアルタイム記録
  • バイト書込みでバス負荷低減
  • 2.2 V–3.6 V電源で動作
  • 低消費電力スリープでも保持
  • 高速動作時の有効電力を低減
  • アイドル時の待機電力を低減
  • OE高速化で読出しレイテンシ低減
  • ハイZでバス共有が容易

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ