CY7C10612G30-10ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C10612G30-10ZSXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C10612G30-10ZSXI
CY7C10612G30-10ZSXI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推奨
OPN
CY7C10612G30-10ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 216
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 216
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY7C10612G30-10ZSXIは16-Mbit（1M×16）の非同期CMOS SRAMで、単一ビット訂正用ECCを内蔵します。10 ns品で、電源3 V～3.6 V、-40°C～+85°C（産業）に対応し、シングルチップイネーブルとOE/WE制御を使用。BLE/BHEでバイト書込み、非選択時はI/Oを3ステート化し、動作電流は最大110 mA。Pbフリー54ピンTSOP IIです。

特長

  • 16 Mbit SRAM、1M×16
  • アドレスアクセス10 ns(tAA)
  • リードサイクル10 ns(tRC)
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • ERR出力でECC通知(GE)
  • バイト書込みBLE/BHE
  • OE/CEで3ステート出力
  • 単電源3.3 V±0.3 V
  • TTL互換I/Oレベル
  • 1.0 Vデータ保持モード
  • ICC 90 mA typ@100 MHz
  • 動作温度-40°C～+85°C

利点

  • 10 nsでメモリアクセス短縮
  • 16ビットでスループット向上
  • ECCでデータ信頼性向上
  • ERRで故障監視を簡素化
  • バイト書込みで帯域節約
  • 3ステートでバス共有可能
  • 3.3 Vで電源設計を簡素化
  • TTL互換で接続が容易
  • 低電圧でデータ保持
  • ICC 90 mA typで消費抑制
  • パワーダウンで省電力
  • -40°C～+85°Cで高信頼

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ