CY7C1051H30-10ZSXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1051H30-10ZSXIT

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY7C1051H30-10ZSXIT
CY7C1051H30-10ZSXIT
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • アラーム
    N
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    N
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • メモリ容量
    8 MBit
  • リアルタイムクロック
    N
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns

推奨
OPN
CY7C1051H30-10ZSXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C1051H30-10ZSXITは8 Mbit（512K×16）の高速非同期SRAMで、単一ビット誤り訂正用ECCを内蔵します。2.2 V～3.6 Vで動作し、工業温度範囲-40°C～+85°C、アクセス時間10 ns。BHE/BLEでバイト書き込みに対応し、非選択時（CE=High）は出力がHigh-Z。CMOS入力時のスタンバイ電流は20 mA typ、30 mA max。鉛フリー44ピンTSOP II、テープ&リール品です。

特長

  • 8 Mbit SRAM(512K×16)
  • ECCで1ビット訂正
  • アドレスアクセスtAA=10 ns
  • VCC電源2.2 V～3.6 V
  • 16ビットI/O+BHE/BLE
  • 非同期CE/OE/WE制御
  • 非選択時出力はHi-Z
  • 100 MHzでICC典型90 mA
  • ISB2待機電流典型20 mA
  • データ保持VDR=1.0 V
  • リードサイクルtRC=10 ns
  • OEから有効tDOE=5 ns

利点

  • ECCでデータ破損を抑制
  • 10 nsでリード遅延を低減
  • 2.2～3.6 Vで3 V系に適合
  • バイト書込みで帯域を節約
  • 非同期でMCU接続が容易
  • Hi-Zでバス共有が簡単
  • 典型90 mAで動作電力低減
  • 低待機電流で省エネ
  • 1.0 V保持でバックアップ容易
  • OE 5 nsで高速ストローブ
  • 10 ns周期でスループット向上
  • 標準ピンで立上げを短縮
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ