CY7C1049GN30-10ZSXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1049GN30-10ZSXIT

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C1049GN30-10ZSXIT
CY7C1049GN30-10ZSXIT
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns

推奨
OPN
CY7C1049GN30-10ZSXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
PH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
PH
ウェハ製造国
TW
個.
在庫あり
CY7C1049GN30-10ZSXIT is a 4-Mbit (512K × 8) fast asynchronous CMOS SRAM for parallel memory expansion. It operates from 2.2 V to 3.6 V over -40°C to 85°C and supports 10 ns access time. Reads use CE and OE; writes use CE and WE, with high-impedance I/Os when deselected. Automatic CE power-down reduces standby current to 8 mA max (ISB2); operating ICC is 45 mA max. 44-pin TSOP II Pb-free tape-and-reel.

特長

  • 512K × 8-bit SRAM organization
  • tAA access time down to 10 ns
  • VCC options: 1.65–5.5 V families
  • ICC 45 mA max at 100 MHz
  • ISB2 standby 8 mA max (CMOS)
  • ISB1 standby 15 mA max (TTL)
  • OE/CE/WE control read and write
  • Three-state I/O when deselected
  • Data retention at VCC = 1.0 V
  • ICCDR 8 mA max at VCC = 1.2 V
  • tRC read cycle time 10 ns
  • tDOE OE to data 4.5 ns max

利点

  • Fits 8-bit MCU memory maps
  • 10 ns access supports fast buses
  • Drop-in across 1.8/3.3/5 V rails
  • Predictable power at high speed
  • Lower standby draw in idle mode
  • TTL input mode eases interfacing
  • Simple async interface, no clock
  • High-Z I/O enables shared bus
  • Keeps data with backup supply
  • Low retention current saves energy
  • Short read cycle cuts latency
  • Fast OE improves bus turnarounds

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ