CY7C1049GN30-10ZSXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1049GN30-10ZSXIT

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY7C1049GN30-10ZSXIT
CY7C1049GN30-10ZSXIT
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推奨
OPN
CY7C1049GN30-10ZSXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY7C1049GN30-10ZSXITは4 Mbit（512K×8）の高速非同期CMOS SRAMで、パラレルメモリ拡張に使用します。電源2.2 V～3.6 V、動作温度-40°C～85°C、アクセス時間10 ns。リードはCEとOE、ライトはCEとWEで、非選択時I/Oはハイインピーダンス。CE自動パワーダウンでISB2は最大8 mA、動作ICCは最大45 mA。Pbフリー44ピンTSOP IIテープ&リール。

特長

  • 512K×8ビットSRAM構成
  • tAAアクセス最短10 ns
  • VCCは1.65–5.5 V系
  • 100 MHzでICC最大45 mA
  • CMOS待機ISB2最大8 mA
  • TTL待機ISB1最大15 mA
  • OE/CE/WEで読出し/書込み
  • 非選択時I/Oは3ステート
  • VCC=1.0 Vでデータ保持
  • VCC=1.2 VでICCDR最大8 mA
  • tRCリードサイクル10 ns
  • tDOE OE→データ最大4.5 ns

利点

  • 8ビットMCUのマップに適合
  • 10 nsで高速バスに対応
  • 1.8/3.3/5 Vで置換容易
  • 高速時も消費電力が読める
  • アイドル時の待機電力を低減
  • TTL入力で接続が簡単
  • 非同期IFでクロック不要
  • High-Zでバス共有が可能
  • バックアップ電源で保持
  • 保持電流が低く省エネ
  • 短い読出しで低レイテンシ
  • 高速OEでバス切替を改善

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }