CY7C1049G30-10VXIT
Active and preferred
RoHS対応

CY7C1049G30-10VXIT

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CY7C1049G30-10VXIT
CY7C1049G30-10VXIT
個.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns
OPN
CY7C1049G30-10VXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOJ-36 (51-85090)
梱包サイズ 500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOJ-36 (51-85090)
梱包サイズ 500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY7C1049G30-10VXITは4 Mbit(512K×8)の非同期CMOS SRAMで、単一ビット訂正用のECCを内蔵します。2.2 V~3.6 V、-40°C~85°Cで動作し、アクセス時間は10 nsです。CE自動パワーダウンでスタンバイISB2 6 mA typ(8 mA max)、100 MHzでICC 38 mA typ(45 mA max)。TTL互換I/Oで産業機器のキャッシュ/バッファに適用。36ピンSOJテープ&リール。

特長

  • 4 Mbit SRAM(512K×8)
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • tAAアドレスアクセス最短10 ns
  • VCC=1.0 Vでデータ保持
  • CE自動パワーダウン(ISB2最大8 mA)
  • 100 MHzでICC最大45 mA
  • tDOE OE→データ4.5 ns
  • 入出力TTL互換
  • 非選択/OE HighでI/O Hi-Z
  • 動作温度範囲–40°C~+85°C
  • DC I/Oリーク最大±1 µA
  • ERR出力でECCイベント通知(GE)

利点

  • ECCで読出しデータ信頼性向上
  • ERRピンで監視を簡素化
  • 10 nsアクセスで高速CPU対応
  • 広いVCCでマルチ電源対応
  • 1.0 V保持でバックアップ節電
  • CEパワーダウンで待機損失低減
  • ICC最大45 mAで電力見積容易
  • OE高速で読出し遅延を低減
  • Hi-Zでバス共有が容易
  • TTLレベルでIF回路簡素化
  • –40°C~+85°Cで堅牢性向上
  • 低リークで待機損失を低減
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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