Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY62177G30-55ZXI

32Mb, x16, 3.0V, MoBL™ SRAM Ind, TSOP-48
EA.
在庫あり

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CY62177G30-55ZXI
CY62177G30-55ZXI
EA.

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    32 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    2.2 V to 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    2M x 16
  • 認定
    Industrial
OPN
CY62177G30-55ZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
包装サイズ 96
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
包装サイズ 96
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon's 32Mb density Ultra-Low-Power (ULP) SRAM with on-chip ECC offers high-performance and reliability for mission-critical industrial systems. With an industry-leading standby current of 19µA at +85°C, it ensures best-in-class battery lifetimes. This high-capacity parallel interface asynchronous SRAM, based on 65-nm technology, features embedded ECC and bit-interleaving, providing freedom from soft errors with < 0.1 FITs/Mbit.

機能

  • 32Mbit SRAM, 2Mx16
  • High-speed parallel bus
  • 55ns access time
  • Operating voltage: 2.2-3.6V
  • Ultra-low-power standby
  • Embedded ECC
  • 1.5V data retention
  • RoHS-compliant 48-pin TSOP (I)

利点

  • Low-power battery-backed datalogging
  • Freedom from soft errors
  • Compatible with lower density SRAMs
  • Drop-in legacy SRAM compatibility

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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