CY62167ELL-45ZXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62167ELL-45ZXI

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CY62167ELL-45ZXI
CY62167ELL-45ZXI
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V~5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial

OPN
CY62167ELL-45ZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 480
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
CN,US
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 480
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
CN,US
個.
在庫あり
CY62167ELL-45ZXIは16-Mbit CMOS SRAMで、1 M × 16(または2 M × 8)構成の、TTL入力レベルの5 Vプロセッサ向けです。4.5 V~5.5 V、-40°C~85°Cで動作し、45 nsアクセスを規定。自動パワーダウンによりスタンバイ電流1.5 µA typ(12 µA max)、1 MHz時の動作電流2.2 mA typ(4.0 mA max)。48ピンTSOP I(Pb-free)で提供します。

特長

  • 16 Mb SRAM、1 M×16/2 M×8
  • 45 ns読出/書込サイクル
  • VCC動作4.5 V~5.5 V
  • 1 MHz動作電流2.2 mA typ
  • スタンバイ消費1.5 µA typ
  • スタンバイ電流12 µA max
  • TTL入力レベルに対応
  • CE1/CE2/OEでチップ制御
  • BLE/BHEバイト書込み有効
  • 無効時I/Oはハイインピ
  • >2001 V ESD(MIL-STD-883)
  • ラッチアップ電流>200 mA

利点

  • 16/8ビットバスを柔軟に構成
  • 45 nsでCPUスループット向上
  • 5 V電源で既存設計に適合
  • 動作電流低減で消費電力削減
  • µAスタンバイで電池寿命延長
  • 待機上限が低く電力設計容易
  • TTL直結で外付けロジック削減
  • CE/OEでメモリ拡張が簡単
  • バイト書込で書込帯域を削減
  • ハイインピでバス競合を防止
  • 高ESDで取扱い故障を低減
  • ラッチアップ耐性で稼働向上

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ