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CY62167DV30LL-55ZXI
生産終了
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RoHS対応
鉛フリー

CY62167DV30LL-55ZXI

生産終了
High-Density 16 MBit MoBL™ Parallel SRAM for Industrial Applications
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CY62167DV30LL-55ZXI
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial

OPN
CY62167DV30LL-55ZXI
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 960
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
CN
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 960
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
CN
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CY62167DV30LL-55ZXIは16-Mbit（1 M×16）のCMOS SRAMで、携帯機器向け低消費電力設計に適します。電源2.20 V～3.60 V、動作温度-40°C～+85°Cで、55 nsスピードグレードに対応。アクティブ電流は1 MHzで標準2 mA、非選択時は3.60 Vで自動パワーダウンにより待機2.5 µA標準（最大22 µA）。CE1/CE2、OE、WE、BHE/BLEバイトイネーブルを備え、Pbフリー48ピンTSOP Iで提供。

特長

  • 16 Mbit SRAM（1 M×16）
  • VCC動作2.2 V～3.6 V
  • 非選択で自動パワーダウン
  • CE1/CE2でスタンバイ可能
  • 待機ISB1/2典型2.5 µA
  • 1 MHzでICC典型2 mA
  • VDR=1.5 Vでデータ保持
  • 保持電流最大10 µA
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • CE/OE等でI/OをハイZ
  • ESD>2001 V（MIL-STD）
  • ラッチアップ電流>200 mA

利点

  • 16ビットバスに容易に接続
  • 一般的な3.3 V電源に対応
  • 非選択時の待機電力を削減
  • スタンバイ制御が柔軟
  • µA待機でスリープ消費低減
  • 動作電流低減で電池長持ち
  • 1.5 Vバックアップで保持
  • 保持電流が小さく省電力
  • バイト書込みで転送量削減
  • ハイZでバス共有が容易
  • ESD耐性で信頼性向上
  • 異常時のラッチアップ低減

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ