CY62157H30-45BVXAT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62157H30-45BVXAT

データシート
パッケージ

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CY62157H30-45BVXAT
CY62157H30-45BVXAT
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 16
  • 認定
    Automotive(A)
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62157H30-45BVXAT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
CY62157H30-45BVXATは8 Mbit（512K×16）のCMOS MoBL SRAMで、内蔵ECCにより単一ビット誤りを検出・訂正します。45 nsアクセス、2.2 V～3.6 V、-40°C～85°Cで動作し、TTL互換I/Oを備えます。動作電流はfMAXで最大36 mA（1 MHzで最大9 mA）。スタンバイ最大16 µA（typ 5.5 µA）、デュアルチップイネーブルとBHE/BLEのバイトパワーダウン搭載。Pbフリー48ボールVFBGA（BV）封装です。

特長

  • 8-Mbit(512K×16)SRAM
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • 16ビットI/Oとバイトイネーブル
  • 45 nsの読書きサイクル
  • VCC 2.2 V～3.6 V
  • 1.0 Vデータ保持(VDR)
  • スタンバイ電流 typ 5.5 µA
  • fMAX時ICC max 36 mA
  • >2001 V ESD(MIL-STD-883)
  • OE/WE/CEで3ステート制御

利点

  • ECCでデータ整合性を向上
  • バイト書込みでバス負荷低減
  • 45 nsアクセスで高速CPU対応
  • 2.2–3.6 Vで3 V系に適合
  • 1.0 V保持でバックアップ省電力
  • 5.5 µA待機で電池寿命向上
  • 3ステートでバス共有が容易
  • デュアルCEでデコード簡素化
  • 高ESDで取扱い歩留まり改善
  • CMOS SRAMで即時アクセス

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ