CY62157H30-45BVXA
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62157H30-45BVXA

データシート
パッケージ

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CY62157H30-45BVXA
CY62157H30-45BVXA
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    8 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 16
  • 認定
    Automotive(A)
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62157H30-45BVXA
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 960
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 960
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
CY62157H30-45BVXAはAEC-Q100適合の8-Mbit（512K×16）CMOS SRAMで、単一ビット誤り訂正用ECCを内蔵します。2.2 V～3.6 V、−40°C～+85°Cで動作し、アクセス時間は45 nsです。デュアルチップイネーブルとバイト書込み（BHE/BLE）に対応し、自動パワーダウンで標準5.5 μA（最大16 μA）のスタンバイ電流と、fMAXで標準29 mAの動作電流を実現します。

特長

  • 8 Mbit SRAM（512K×16）
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • 45 ns読出/書込サイクル
  • VCC動作2.2 V～3.6 V
  • スタンバイ5.5 µA typ
  • スタンバイ16 µA max
  • 動作ICC 36 mA max@fMAX
  • 1.0 Vデータ保持モード
  • バイト書込有効BHE/BLE
  • デュアルCE入力CE1/CE2
  • OE→ハイZ 18 ns max
  • TTL互換入出力レベル

利点

  • ECCでデータ信頼性向上
  • 45 nsで高速CPUアクセス
  • 2.2-3.6 Vで3.3 V系対応
  • µA級待機で電池寿命延長
  • 待機最大値が小さく省電力
  • ICC上限で電源設計が容易
  • 1.0 V保持でバックアップ省電力
  • バイト有効で書込エネルギ削減
  • デュアルCEでバンク選択
  • 高速ハイZでバス共有容易
  • TTLレベルで接続が簡単
  • 20 mAシンクで直接駆動

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ