CY62157G30-45ZXAT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62157G30-45ZXAT

データシート
パッケージ

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CY62157G30-45ZXAT
CY62157G30-45ZXAT
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • アラーム
    N
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    N
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    8 MBit
  • リアルタイムクロック
    N
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 16
  • 認定
    Automotive(A)
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62157G30-45ZXAT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
CY62157G30-45ZXAT is an 8-Mbit (512K × 16) automotive SRAM with embedded ECC for single-bit error correction. It supports 45 ns read/write access at 2.2 V to 3.6 V and is AEC-Q100 qualified for -40°C to +85°C. Automatic power-down standby current is 1.4 µA typical and 6.5 µA max. Dual chip-enable plus BHE/BLE byte enables support 8-bit or 16-bit accesses for fast scratchpad and buffer memory.

特長

  • 8-Mbit SRAM (512K x 16)
  • ECC corrects single-bit errors
  • 45 ns/55 ns read/write cycles
  • VCC 1.65-2.2 V or 2.2-3.6 V
  • 5 µA typical standby current
  • 35 µA max standby current
  • 16-bit I/O bus (I/O0 to I/O15)
  • Byte write with BHE/BLE enables
  • Dual chip-enable inputs CE1/CE2
  • I/O Hi-Z on deselect or OE high
  • Input/output leakage ±1 µA
  • 1.5-V data retention support

利点

  • ECC helps prevent data corruption
  • 45 ns enables fast CPU reads
  • Two VCC ranges ease rail reuse
  • 5 µA standby extends battery life
  • 35 µA max simplifies power budget
  • 16-bit bus increases data bandwidth
  • Byte writes reduce bus transactions
  • Dual CE supports easy bus sharing
  • Hi-Z outputs avoid bus contention
  • ±1 µA leakage lowers static loss
  • Data retention keeps state at 1.5 V
  • Standard OE/WE controls simplify HW

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ