CY62157ELL-55ZSXE
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62157ELL-55ZSXE

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62157ELL-55ZSXE
CY62157ELL-55ZSXE
個.
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    8 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn;Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 16
  • 認定
    Automotive
  • 速度
    55 ns

推奨
OPN
CY62157ELL-55ZSXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 135
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 135
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
CY62157ELL-55ZSXEは8-Mbit（512 K×16）のCMOSスタティックSRAMで、Pb-freeの44ピンTSOP IIパッケージ、Automotive-E（-40°C～+125°C）対応です。電源4.5 V～5.5 V、55 nsアクセス、CE/OE制御とBHE/BLEバイトイネーブルにより8ビット転送に対応。非選択時は自動パワーダウンで2 µA typ（最大30 µA）、1 MHz動作電流は1.8 mA typ（最大4 mA）です。

特長

  • 512K×16 CMOS SRAM
  • 4.5 V～5.5 V単一電源
  • 読出しサイクル45 ns(tRC)
  • OEアクセス最大22 ns(tDOE)
  • 1 MHz時1.8 mA(typ)
  • スタンバイ2 µA(typ)
  • 非選択で自動パワーダウン
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • CE1/CE2で拡張可能
  • TTL入力レベル互換
  • 非選択/OE HIGHでHi-Z
  • ESD耐性>2001 V(HBM)

利点

  • 16ビットIFで実装が簡単
  • 5 V電源で直接動作
  • 高速読出しで待ち時間削減
  • OE制御でバス共有が容易
  • 動作電流低減で省エネ
  • µA待機で電池寿命を延長
  • アイドル時の消費電力を低減
  • バイト書込みで通信量削減
  • 複数チップで容量拡張が容易
  • レガシーTTL CPUに対応
  • Hi-Z出力で競合を防止
  • ESD耐性で故障リスク低減
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ