CY62148ELL-55SXIT
Active and preferred
RoHS対応

CY62148ELL-55SXIT

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CY62148ELL-55SXIT
CY62148ELL-55SXIT
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製品仕様情報

  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V~5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    55 ns
OPN
CY62148ELL-55SXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62148ELL-55SXITは4-Mbit(512K×8)のCMOS MoBL®非同期SRAMで、5 Vプロセッサ・インターフェース向けです。電源4.5 V~5.5 V、工業温度範囲-40°C~85°C、アクセス55 nsを規定。CE自動パワーダウンにより待機電流2.5 µA typ(7 µA max)。ICCは1 MHzで3.5 mA typ(6 mA max)、fmaxで15 mA typ。Pbフリー32ピンSOIC。

特長

  • 4 Mbit(512K×8)CMOS SRAM
  • tRC読出しサイクル45 ns
  • VCC 4.5 V~5.5 V動作
  • CE Highで自動パワーダウン
  • スタンバイ2.5 µA typ
  • スタンバイ7 µA max
  • @1 MHz動作3.5 mA typ
  • VCC≥2.0 Vでデータ保持
  • 保持電流8.8 µA max
  • OE/CE/WEで読書き制御
  • CIN/COUT最大10 pF

利点

  • 高速読出しで応答を改善
  • 5 Vロジック電源で動作
  • 自動パワーダウンで省電力
  • µA級待機で電池寿命延長
  • 低動作電流で発熱を低減
  • 2 Vバックアップで保持
  • 低ICCDRで常時保持に適す
  • CE/OEで拡張が簡単
  • ハイZ出力でバス共有容易
  • 低ピン容量で高速化に貢献

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ