Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY62147G30-45BVXIT

データシート
パッケージ

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CY62147G30-45BVXIT
CY62147G30-45BVXIT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.2 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY62147G30-45BVXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY62147G30-45BVXITは、4 Mビット (256K×16ビット) の高性能CMOSスタティックRAMで、シングルビットエラー訂正のためのECCを内蔵しており、産業用途における信頼性の高いデータ整合性を保証します。2.2 V～3.6 Vの動作電圧範囲で、45 nsという高速アクセス時間を実現し、3.5 μAまでの超低待機電流、1.0 Vのデータ保持機能、およびTTL互換の入出力機能を備えています。

特長

  • ECC付き4Mビット (256K × 16) SRAM
  • アクセス時間: 45 ns
  • 2.2 V–3.6 Vの電源電圧範囲
  • 超低待機電流: 標準3.5 μA、8.7 μA
  • 22.22 MHzにおける標準アクティブ電流: 15 mA
  • シングルビットエラー訂正用ECC内蔵
  • TTL互換I/O
  • バイトパワーダウン機能
  • 工業用温度範囲: -40℃～85℃
  • シングルチップイネーブル動作

利点

  • ECCはデータの信頼性を向上させます
  • 45 nsの速度で高速メモリアクセスが可能
  • 幅広い電圧範囲で柔軟な設計をサポート
  • 待機電流が低いため、バッテリー寿命が延びます
  • 低アクティブ電流により消費電力を削減
  • エラー訂正によりデータ損失を防ぎます
  • TTL入出力によりシステム統合が簡素化
  • バイトパワーダウンにより、アイドル時の電力消費を削減
  • 過酷な環境下でも確実に動作します
  • シングルチップイネーブルにより制御ロジックが簡素化

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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