CY621472GN30-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY621472GN30-45ZSXI

データシート
パッケージ

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CY621472GN30-45ZSXI
CY621472GN30-45ZSXI
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY621472GN30-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
PH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
PH
ウェハ製造国
TW
CY621472GN30-45ZSXIは4-Mbit（256K×16）のCMOS MoBL SRAMで、デュアルチップイネーブル（CE1/CE2）、16ビットI/O、BHE/BLEによるバイト制御に対応。2.2 V～3.6 V、−40°C～+85°Cで動作し、45 nsアクセスをサポート。自動パワーダウンは3.5 µA typ、8.7 µA maxで、両バイト無効時はByte Power Down、非選択時I/OはHI-Z。44ピンTSOP II。

特長

  • 4 Mbit SRAM、256K×16
  • 45 ns/55 nsアクセス選択
  • 16ビットI/O、バイト有効
  • BHE/BLEでバイト読書き
  • シングル/デュアルCE入力
  • OE制御データ出力
  • 非選択時I/Oは3ステート
  • BHE/BLEでバイト電源断
  • スタンバイ電流typ 3.5 µA
  • スタンバイ電流max 8.7 µA
  • 読出しサイクル最小45 ns
  • I/Oリーク電流±1 µA

利点

  • 高速読出しで低遅延バッファ
  • スタンバイで省電力化
  • バイト書込みでバス負荷低減
  • バイト単位で消費電力削減
  • 柔軟なCEで多様なバス対応
  • OEタイミングで接続が容易
  • 3ステートでバス共有が簡単
  • 低リークで電池寿命を延長
  • 45 ns読出しでタイミング容易
  • バイト有効で8ビット接続簡単
  • CE有効で迅速にパワーアップ
  • OEからデータ短く遅延低減

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ